Desarrollo y optimización de técnicas basadas en la fotoconductividad para la caracterización de semiconductores con aplicaciones fotovoltaicas.

Para la fabricación de una celda solar de lámina delgada resulta de vital importancia efectuar una calibración previa de los reactores con los cuales se depositarán los distintos semiconductores que conforman la misma. Para ello es necesario contar con técnicas de caracterización que permitan evalua...

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Detalles Bibliográficos
Autor Principal: Kopprio, Leonardo
Otros Autores: Schmidt, Javier (director de tesis), Arce, Roberto (director de tesis)
Formato: Tesis Libro
Lenguaje:Español
Materias:
Descripción
Sumario:Para la fabricación de una celda solar de lámina delgada resulta de vital importancia efectuar una calibración previa de los reactores con los cuales se depositarán los distintos semiconductores que conforman la misma. Para ello es necesario contar con técnicas de caracterización que permitan evaluar fácilmente la calidad de los materiales depositados. En esta tesis se investigan distintas técnicas de caracterización de estado estacionario basadas en mediciones relacionadas con la fotoconductividad. Específicamente, se mide la conductividad mientras al material se lo ilumina con luz de energía mayor a su banda prohibida (gap), compuesta generalmente por una iluminación espacial y/o temporal periódica superpuesta a una iluminación homogénea y constante de mayor intensidad. Se presenta una explicación detallada sobre la forma de implementar la fotoconductividad de estado estacionario bajo una tasa de generación uniforme (SSPC) y bajo una tasa de generación uniforme modulada en el tiempo (MPC). También se detallan las técnicas del patrón de interferencia estacionario (SSPG), al patrón de interferencia móvil (MGT), el patrón de interferencia modulado en el tiempo (MPG), el patrón de interferencia vibrante (VPG) y el patrón de interferencia oscilante (OPG). En particular, se corrige la expresión de la tasa de generación de portadores inducida por la técnica MPG presentada en la bibliografía.
descripción de la copia:Lugar de realización: Grupo de Física de Semiconductores – Instituto de Física del Litoral (UNL – CONICET)
Descripción Física:196 p. il. 30 cm.
Disponible también en Biblioteca Virtual de la UNL.